Logowanie
Zarejestruj się
Zresetuj hasło
Publikuj i Dystrybuuj
Rozwiązania Wydawnicze
Rozwiązania Dystrybucyjne
Dziedziny
Architektura i projektowanie
Bibliotekoznawstwo i bibliologia
Biznes i ekonomia
Chemia
Chemia przemysłowa
Filozofia
Fizyka
Historia
Informatyka
Inżynieria
Inżynieria materiałowa
Językoznawstwo i semiotyka
Kulturoznawstwo
Literatura
Matematyka
Medycyna
Muzyka
Nauki farmaceutyczne
Nauki klasyczne i starożytne studia bliskowschodnie
Nauki o Ziemi
Nauki o organizmach żywych
Nauki społeczne
Prawo
Sport i rekreacja
Studia judaistyczne
Sztuka
Teologia i religia
Zagadnienia ogólne
Publikacje
Czasopisma
Książki
Materiały konferencyjne
Wydawcy
Blog
Kontakt
Wyszukiwanie
EUR
USD
GBP
Polski
English
Deutsch
Polski
Español
Français
Italiano
Koszyk
Home
Czasopisma
Materials Science-Poland
Tom 37 (2019): Zeszyt 3 (September 2019)
Otwarty dostęp
Investigation, analysis and comparison of current-voltage characteristics for Au/Ni/GaN Schottky structure using I-V-T simulation
A. Sadoun
A. Sadoun
,
S. Mansouri
S. Mansouri
,
M. Chellali
M. Chellali
,
N. Lakhdar
N. Lakhdar
,
A. Hima
A. Hima
oraz
Z. Benamara
Z. Benamara
| 18 paź 2019
Materials Science-Poland
Tom 37 (2019): Zeszyt 3 (September 2019)
O artykule
Poprzedni artykuł
Następny artykuł
Abstrakt
Referencje
Autorzy
Artykuły w tym zeszycie
Podgląd
PDF
Zacytuj
Udostępnij
Data publikacji:
18 paź 2019
Zakres stron:
496 - 502
Otrzymano:
05 sty 2019
Przyjęty:
25 kwi 2019
DOI:
https://doi.org/10.2478/msp-2019-0041
Słowa kluczowe
Schottky diode
,
Au/Ni/n-GaN
,
temperature effects
,
I-V characteristics
,
Cheung and Chattopadhyay method
,
SILVACO-TCAD
© 2019 A. Sadoun et al., published by Sciendo
This work is licensed under the Creative Commons Attribution-NonCommercial-NoDerivatives 3.0 License.