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Materials Science-Poland
Volume 37 (2019): Numero 3 (September 2019)
Accesso libero
Investigation, analysis and comparison of current-voltage characteristics for Au/Ni/GaN Schottky structure using I-V-T simulation
A. Sadoun
A. Sadoun
,
S. Mansouri
S. Mansouri
,
M. Chellali
M. Chellali
,
N. Lakhdar
N. Lakhdar
,
A. Hima
A. Hima
e
Z. Benamara
Z. Benamara
| 18 ott 2019
Materials Science-Poland
Volume 37 (2019): Numero 3 (September 2019)
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Pubblicato online:
18 ott 2019
Pagine:
496 - 502
Ricevuto:
05 gen 2019
Accettato:
25 apr 2019
DOI:
https://doi.org/10.2478/msp-2019-0041
Parole chiave
Schottky diode
,
Au/Ni/n-GaN
,
temperature effects
,
I-V characteristics
,
Cheung and Chattopadhyay method
,
SILVACO-TCAD
© 2019 A. Sadoun et al., published by Sciendo
This work is licensed under the Creative Commons Attribution-NonCommercial-NoDerivatives 3.0 License.