Otwarty dostęp

Preparation and microstructural characterization of Si(100) Ce1−x GdxO2−δ thin films prepared by pulsed laser deposition technique

P. Nagaraju

P. Nagaraju

Wyszukaj tego autora
Sciendo|Google Scholar
Nagaraju, P.
, 
Y. Vijayakumar

Y. Vijayakumar

Wyszukaj tego autora
Sciendo|Google Scholar
Vijayakumar, Y.
, 
D. Phase

D. Phase

Wyszukaj tego autora
Sciendo|Google Scholar
Phase, D.
, 
V. Reddy

V. Reddy

Wyszukaj tego autora
Sciendo|Google Scholar
Reddy, V.
 oraz 
M. Ramana Reddy

M. Ramana Reddy

Wyszukaj tego autora
Sciendo|Google Scholar
Ramana Reddy, M.
  
19 gru 2014
Preparation and microstructural characterization of Si(100) Ce1−x GdxO2−δ thin films prepared by pulsed laser deposition technique's Cover Image
O artykule
Poprzedni artykuł
Następny artykuł
Zacytuj
Pobierz okładkę
Data publikacji: 19 gru 2014
Zakres stron: 541 - 546
DOI: https://doi.org/10.2478/s13536-014-0246-5
Słowa kluczowe
© 2014 Wroclaw University of Technology
This work is licensed under the Creative Commons Attribution-NonCommercial-NoDerivatives 3.0 License.
Nagaraju, P.
Vijayakumar, Y.
Phase, D.
Reddy, V.
Ramana Reddy, M.
Język:
Angielski
Częstotliwość wydawania:
4 razy w roku
Dziedziny czasopisma:
Nauka o materiałach, Nauka o materiałach, inne, Nanomateriały, Funkcjonalne i inteligentne materiały, Charakterystyka i właściwości materiałów
Kanał RSS czasopisma