Logowanie
Zarejestruj się
Zresetuj hasło
Publikuj i Dystrybuuj
Rozwiązania Wydawnicze
Rozwiązania Dystrybucyjne
Dziedziny
Architektura i projektowanie
Bibliotekoznawstwo i bibliologia
Biznes i ekonomia
Chemia
Chemia przemysłowa
Filozofia
Fizyka
Historia
Informatyka
Inżynieria
Inżynieria materiałowa
Językoznawstwo i semiotyka
Kulturoznawstwo
Literatura
Matematyka
Medycyna
Muzyka
Nauki farmaceutyczne
Nauki klasyczne i starożytne studia bliskowschodnie
Nauki o Ziemi
Nauki o organizmach żywych
Nauki społeczne
Prawo
Sport i rekreacja
Studia judaistyczne
Sztuka
Teologia i religia
Zagadnienia ogólne
Publikacje
Czasopisma
Książki
Materiały konferencyjne
Wydawcy
Blog
Kontakt
Wyszukiwanie
EUR
USD
GBP
Polski
English
Deutsch
Polski
Español
Français
Italiano
Koszyk
Home
Czasopisma
Materials Science-Poland
Tom 32 (2014): Zeszyt 4 (December 2014)
Otwarty dostęp
Preparation and microstructural characterization of Si(100) Ce1−x GdxO2−δ thin films prepared by pulsed laser deposition technique
P. Nagaraju
P. Nagaraju
,
Y. Vijayakumar
Y. Vijayakumar
,
D. Phase
D. Phase
,
V. Reddy
V. Reddy
oraz
M. Ramana Reddy
M. Ramana Reddy
| 19 gru 2014
Materials Science-Poland
Tom 32 (2014): Zeszyt 4 (December 2014)
O artykule
Poprzedni artykuł
Następny artykuł
Abstrakt
Referencje
Autorzy
Artykuły w tym zeszycie
Podgląd
PDF
Zacytuj
Udostępnij
Data publikacji:
19 gru 2014
Zakres stron:
541 - 546
DOI:
https://doi.org/10.2478/s13536-014-0246-5
Słowa kluczowe
cerium oxide
,
dislocation densities
,
gadolinium doped cerium oxide
,
microstructure
,
pulsed laser deposition
,
thin films
© 2014 Wroclaw University of Technology
This work is licensed under the Creative Commons Attribution-NonCommercial-NoDerivatives 3.0 License.