Otwarty dostęp

Germanium Gradient Optimization for High-Speed Silicon Germanium Hetero-Junction Bipolar Transistors

Abdelkader Khadir

Abdelkader Khadir

  • Laboratory of metallic and semiconducting materials, University of BiskraBiskra, Algeria
  • Materials Science and Informatics Laboratory, University of DjelfaDjelfa, Algeria
Wyszukaj tego autora
Sciendo|Google Scholar
Khadir, Abdelkader
, 
Nouredine Sengouga

Nouredine Sengouga

Laboratory of metallic and semiconducting materials, University of BiskraBiskra, Algeria
Wyszukaj tego autora
Sciendo|Google Scholar
Sengouga, Nouredine
 oraz 
Mohamed Kamel Abdelhafidi

Mohamed Kamel Abdelhafidi

  • Laboratory of metallic and semiconducting materials, University of BiskraBiskra, Algeria
  • Materials Science and Informatics Laboratory, University of DjelfaDjelfa, Algeria
Wyszukaj tego autora
Sciendo|Google Scholar
Abdelhafidi, Mohamed Kamel
  
21 sty 2020
Germanium Gradient Optimization for High-Speed Silicon Germanium Hetero-Junction Bipolar Transistors's Cover Image
O artykule
Poprzedni artykuł
Następny artykuł
Zacytuj
Pobierz okładkę
Data publikacji: 21 sty 2020
Zakres stron: 22 - 32
Otrzymano: 29 wrz 2019
Przyjęty: 27 lis 2019
DOI: https://doi.org/10.2478/awutp-2019-0002
Słowa kluczowe
© 2019 Abdelkader Khadir et al., published by Sciendo
This work is licensed under the Creative Commons Attribution-NonCommercial-NoDerivatives 4.0 License.
Język:
Angielski
Częstotliwość wydawania:
1 razy w roku
Dziedziny czasopisma:
Nauka o materiałach, Modelowanie i symulacje, Fizyka, Fizyka teoretyczna i matematyczna, Fizyka materii skondensowanej, Fizyka medyczna
Kanał RSS czasopisma