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Germanium Gradient Optimization for High-Speed Silicon Germanium Hetero-Junction Bipolar Transistors

Abdelkader Khadir

Abdelkader Khadir

  • Laboratory of metallic and semiconducting materials, University of BiskraBiskra, Algeria
  • Materials Science and Informatics Laboratory, University of DjelfaDjelfa, Algeria
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Khadir, Abdelkader
, 
Nouredine Sengouga

Nouredine Sengouga

Laboratory of metallic and semiconducting materials, University of BiskraBiskra, Algeria
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Sengouga, Nouredine
 und 
Mohamed Kamel Abdelhafidi

Mohamed Kamel Abdelhafidi

  • Laboratory of metallic and semiconducting materials, University of BiskraBiskra, Algeria
  • Materials Science and Informatics Laboratory, University of DjelfaDjelfa, Algeria
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Abdelhafidi, Mohamed Kamel
  
21. Jan. 2020
Germanium Gradient Optimization for High-Speed Silicon Germanium Hetero-Junction Bipolar Transistors's Cover Image
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Online veröffentlicht: 21. Jan. 2020
Seitenbereich: 22 - 32
Eingereicht: 29. Sept. 2019
Akzeptiert: 27. Nov. 2019
DOI: https://doi.org/10.2478/awutp-2019-0002
Schlüsselwörter
© 2019 Abdelkader Khadir et al., published by Sciendo
This work is licensed under the Creative Commons Attribution-NonCommercial-NoDerivatives 4.0 License.
Sprache:
Englisch
Zeitrahmen der Veröffentlichung:
1 Hefte pro Jahr
Fachgebiete der Zeitschrift:
Materialwissenschaft, Modellierung und Simulation, Physik, Theoretische und mathematische Physik, Festkörperphysik, Medizinische Physik
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