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Germanium Gradient Optimization for High-Speed Silicon Germanium Hetero-Junction Bipolar Transistors

Abdelkader Khadir

Abdelkader Khadir

  • Laboratory of metallic and semiconducting materials, University of BiskraBiskra, Algeria
  • Materials Science and Informatics Laboratory, University of DjelfaDjelfa, Algeria
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Khadir, Abdelkader
, 
Nouredine Sengouga

Nouredine Sengouga

Laboratory of metallic and semiconducting materials, University of BiskraBiskra, Algeria
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Sengouga, Nouredine
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Mohamed Kamel Abdelhafidi

Mohamed Kamel Abdelhafidi

  • Laboratory of metallic and semiconducting materials, University of BiskraBiskra, Algeria
  • Materials Science and Informatics Laboratory, University of DjelfaDjelfa, Algeria
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Abdelhafidi, Mohamed Kamel
  
21 ene 2020
Germanium Gradient Optimization for High-Speed Silicon Germanium Hetero-Junction Bipolar Transistors's Cover Image
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Publicado en línea: 21 ene 2020
Páginas: 22 - 32
Recibido: 29 sept 2019
Aceptado: 27 nov 2019
DOI: https://doi.org/10.2478/awutp-2019-0002
Palabras clave
© 2019 Abdelkader Khadir et al., published by Sciendo
This work is licensed under the Creative Commons Attribution-NonCommercial-NoDerivatives 4.0 License.
Idioma:
Inglés
Calendario de la edición:
1 veces al año
Temas de la revista:
Ciencia de los materiales, Modelado y Simulaciones, Física, Física teórica y matemática, Física de la materia condensada, Física médica
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