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Germanium Gradient Optimization for High-Speed Silicon Germanium Hetero-Junction Bipolar Transistors

Abdelkader Khadir

Abdelkader Khadir

  • Laboratory of metallic and semiconducting materials, University of BiskraBiskra, Algeria
  • Materials Science and Informatics Laboratory, University of DjelfaDjelfa, Algeria
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Khadir, Abdelkader
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Nouredine Sengouga

Nouredine Sengouga

Laboratory of metallic and semiconducting materials, University of BiskraBiskra, Algeria
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Sengouga, Nouredine
 e 
Mohamed Kamel Abdelhafidi

Mohamed Kamel Abdelhafidi

  • Laboratory of metallic and semiconducting materials, University of BiskraBiskra, Algeria
  • Materials Science and Informatics Laboratory, University of DjelfaDjelfa, Algeria
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Abdelhafidi, Mohamed Kamel
  
21 gen 2020
Germanium Gradient Optimization for High-Speed Silicon Germanium Hetero-Junction Bipolar Transistors's Cover Image
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Pubblicato online: 21 gen 2020
Pagine: 22 - 32
Ricevuto: 29 set 2019
Accettato: 27 nov 2019
DOI: https://doi.org/10.2478/awutp-2019-0002
Parole chiave
© 2019 Abdelkader Khadir et al., published by Sciendo
This work is licensed under the Creative Commons Attribution-NonCommercial-NoDerivatives 4.0 License.
Lingua:
Inglese
Frequenza di pubblicazione:
1 volte all'anno
Argomenti della rivista:
Scienze materiali, Modellazioni e simulazioni, Fisica, Fisica teoretica e matematica, Fisica della meteria condensata, Fisica medica
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