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Physical properties of ZnTe semiconductor thin films prepared by high vacuum resistive system

M. Abbas

M. Abbas

  • Department of Physics, COMSATS Institute of Information TechnologyIslamabad, Pakistan
  • Ripha International UniversityIslamabad, Pakistan
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Abbas, M.
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N. A. Shah

N. A. Shah

Department of Physics, COMSATS Institute of Information TechnologyIslamabad, Pakistan
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K. Jehangir

K. Jehangir

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M. Fareed

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A. Zaidi

A. Zaidi

Pakistan Council of Renewable Energy TechnologiesIslamabad, Pakistan
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Zaidi, A.
  
02 nov 2018
Physical properties of ZnTe semiconductor thin films prepared by high vacuum resistive system's Cover Image
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Pubblicato online: 02 nov 2018
Pagine: 364 - 369
Ricevuto: 28 set 2016
Accettato: 22 mar 2018
DOI: https://doi.org/10.1515/msp-2018-0036
Parole chiave
© 2018 M. Abbas et al., published by Sciendo
This work is licensed under the Creative Commons Attribution-NonCommercial-NoDerivatives 4.0 License.
Lingua:
Inglese
Frequenza di pubblicazione:
4 volte all'anno
Argomenti della rivista:
Scienze materiali, Scienze materiali, altro, Nanomateriali, Materiali funzionali ed intelligenti, Caratteristica e proprietà dei materiali
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