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Physical properties of ZnTe semiconductor thin films prepared by high vacuum resistive system

M. Abbas

M. Abbas

  • Department of Physics, COMSATS Institute of Information TechnologyIslamabad, Pakistan
  • Ripha International UniversityIslamabad, Pakistan
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Abbas, M.
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N. A. Shah

N. A. Shah

Department of Physics, COMSATS Institute of Information TechnologyIslamabad, Pakistan
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Shah, N. A.
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K. Jehangir

K. Jehangir

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M. Fareed

M. Fareed

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Fareed, M.
 und 
A. Zaidi

A. Zaidi

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Zaidi, A.
  
02. Nov. 2018
Physical properties of ZnTe semiconductor thin films prepared by high vacuum resistive system's Cover Image
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Online veröffentlicht: 02. Nov. 2018
Seitenbereich: 364 - 369
Eingereicht: 28. Sept. 2016
Akzeptiert: 22. März 2018
DOI: https://doi.org/10.1515/msp-2018-0036
Schlüsselwörter
© 2018 M. Abbas et al., published by Sciendo
This work is licensed under the Creative Commons Attribution-NonCommercial-NoDerivatives 4.0 License.
Sprache:
Englisch
Zeitrahmen der Veröffentlichung:
4 Hefte pro Jahr
Fachgebiete der Zeitschrift:
Materialwissenschaft, Materialwissenschaft, andere, Nanomaterialien, Funktionelle und Intelligente Materialien, Charakterisierung und Eigenschaften von Materialien
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