Logowanie
Zarejestruj się
Zresetuj hasło
Publikuj i Dystrybuuj
Rozwiązania Wydawnicze
Rozwiązania Dystrybucyjne
Dziedziny
Architektura i projektowanie
Bibliotekoznawstwo i bibliologia
Biznes i ekonomia
Chemia
Chemia przemysłowa
Filozofia
Fizyka
Historia
Informatyka
Inżynieria
Inżynieria materiałowa
Językoznawstwo i semiotyka
Kulturoznawstwo
Literatura
Matematyka
Medycyna
Muzyka
Nauki farmaceutyczne
Nauki klasyczne i starożytne studia bliskowschodnie
Nauki o Ziemi
Nauki o organizmach żywych
Nauki społeczne
Prawo
Sport i rekreacja
Studia judaistyczne
Sztuka
Teologia i religia
Zagadnienia ogólne
Publikacje
Czasopisma
Książki
Materiały konferencyjne
Wydawcy
Blog
Kontakt
Wyszukiwanie
EUR
USD
GBP
Polski
English
Deutsch
Polski
Español
Français
Italiano
Koszyk
Home
Czasopisma
Materials Science-Poland
Tom 33 (2015): Zeszyt 4 (December 2015)
Otwarty dostęp
Properties of AlN thin films deposited by means of magnetron sputtering for ISFET applications
Piotr Firek
Piotr Firek
,
Michał Wáskiewicz
Michał Wáskiewicz
,
Bartłomiej Stonio
Bartłomiej Stonio
oraz
Jan Szmidt
Jan Szmidt
| 06 sty 2016
Materials Science-Poland
Tom 33 (2015): Zeszyt 4 (December 2015)
O artykule
Poprzedni artykuł
Następny artykuł
Abstrakt
Referencje
Autorzy
Artykuły w tym zeszycie
Podgląd
PDF
Zacytuj
Udostępnij
Data publikacji:
06 sty 2016
Zakres stron:
669 - 676
Otrzymano:
13 sty 2014
Przyjęty:
16 cze 2015
DOI:
https://doi.org/10.1515/msp-2015-0095
Słowa kluczowe
ISFET/MISFET technology
,
AlN
,
aluminum nitride
,
magnetron sputtering
© 2015 Piotr Firek et al., published by De Gruyter Open
This work is licensed under the Creative Commons Attribution-NonCommercial-NoDerivatives 3.0 License.