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Materials Science-Poland
Volume 33 (2015): Numero 4 (December 2015)
Accesso libero
Properties of AlN thin films deposited by means of magnetron sputtering for ISFET applications
Piotr Firek
Piotr Firek
,
Michał Wáskiewicz
Michał Wáskiewicz
,
Bartłomiej Stonio
Bartłomiej Stonio
e
Jan Szmidt
Jan Szmidt
| 06 gen 2016
Materials Science-Poland
Volume 33 (2015): Numero 4 (December 2015)
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Pubblicato online:
06 gen 2016
Pagine:
669 - 676
Ricevuto:
13 gen 2014
Accettato:
16 giu 2015
DOI:
https://doi.org/10.1515/msp-2015-0095
Parole chiave
ISFET/MISFET technology
,
AlN
,
aluminum nitride
,
magnetron sputtering
© 2015 Piotr Firek et al., published by De Gruyter Open
This work is licensed under the Creative Commons Attribution-NonCommercial-NoDerivatives 3.0 License.