Iniciar sesión
Registrarse
Restablecer contraseña
Publicar y Distribuir
Soluciones de Publicación
Soluciones de Distribución
Temas
Arquitectura y diseño
Artes
Ciencias Sociales
Ciencias de la Información y Bibliotecas, Estudios del Libro
Ciencias de la vida
Ciencias de los materiales
Deporte y tiempo libre
Estudios clásicos y del Cercano Oriente antiguo
Estudios culturales
Estudios judíos
Farmacia
Filosofía
Física
Geociencias
Historia
Informática
Ingeniería
Interés general
Ley
Lingüística y semiótica
Literatura
Matemáticas
Medicina
Música
Negocios y Economía
Química
Química industrial
Teología y religión
Publicaciones
Revistas
Libros
Actas
Editoriales
Blog
Contacto
Buscar
EUR
USD
GBP
Español
English
Deutsch
Polski
Español
Français
Italiano
Carrito
Home
Revistas
Materials Science-Poland
Volumen 33 (2015): Edición 4 (December 2015)
Acceso abierto
Properties of AlN thin films deposited by means of magnetron sputtering for ISFET applications
Piotr Firek
Piotr Firek
,
Michał Wáskiewicz
Michał Wáskiewicz
,
Bartłomiej Stonio
Bartłomiej Stonio
y
Jan Szmidt
Jan Szmidt
| 06 ene 2016
Materials Science-Poland
Volumen 33 (2015): Edición 4 (December 2015)
Acerca de este artículo
Artículo anterior
Artículo siguiente
Resumen
Referencias
Autores
Artículos en este número
Vista previa
PDF
Cite
Compartir
Publicado en línea:
06 ene 2016
Páginas:
669 - 676
Recibido:
13 ene 2014
Aceptado:
16 jun 2015
DOI:
https://doi.org/10.1515/msp-2015-0095
Palabras clave
ISFET/MISFET technology
,
AlN
,
aluminum nitride
,
magnetron sputtering
© 2015 Piotr Firek et al., published by De Gruyter Open
This work is licensed under the Creative Commons Attribution-NonCommercial-NoDerivatives 3.0 License.