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The bandgap energy of the dilute bismuth GaBixSb1−x alloy depending on temperature

Chuan-Zhen Zhao

Chuan-Zhen Zhao

Tianjin Key Laboratory of Optoelectronic Detection Technology and Systems, School of Electronics and Information Engineering, Tiangong UniversityTianjin, China
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Zhao, Chuan-Zhen
 et 
Xue-Lian Qi

Xue-Lian Qi

Tianjin Key Laboratory of Optoelectronic Detection Technology and Systems, School of Electronics and Information Engineering, Tiangong UniversityTianjin, China
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Qi, Xue-Lian
  
16 déc. 2021
The bandgap energy of the dilute bismuth GaBixSb1−x alloy depending on temperature's Cover Image
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Publié en ligne: 16 déc. 2021
Pages: 298 - 304
Reçu: 07 juin 2021
Accepté: 29 sept. 2021
DOI: https://doi.org/10.2478/msp-2021-0025
Mots clés
© 2021 Chuan-Zhen Zhao et al., published by Sciendo
This work is licensed under the Creative Commons Attribution-NonCommercial-NoDerivatives 4.0 International License.
Zhao, Chuan-Zhen
Tianjin Key Laboratory of Optoelectronic Detection Technology and Systems, School of Electronics and Information Engineering, Tiangong UniversityTianjin, China
Qi, Xue-Lian
Tianjin Key Laboratory of Optoelectronic Detection Technology and Systems, School of Electronics and Information Engineering, Tiangong UniversityTianjin, China
Langue:
Anglais
Périodicité:
4 fois par an
Sujets de la revue:
Sciences des matériaux, Sciences des matériaux, autres, Nanomatériaux, Matériaux fonctionnels et intelligents, Caractérisation et propriétés des matériaux
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