Accès libre

The bandgap energy of the dilute bismuth GaBixSb1−x alloy depending on temperature

Chuan-Zhen Zhao

Chuan-Zhen Zhao

Tianjin Key Laboratory of Optoelectronic Detection Technology and Systems, School of Electronics and Information Engineering, Tiangong UniversityTianjin, China
Recherchez cet auteur sur
Sciendo|Google Scholar
Zhao, Chuan-Zhen
 et 
Xue-Lian Qi

Xue-Lian Qi

Tianjin Key Laboratory of Optoelectronic Detection Technology and Systems, School of Electronics and Information Engineering, Tiangong UniversityTianjin, China
Recherchez cet auteur sur
Sciendo|Google Scholar
Qi, Xue-Lian
  
16 déc. 2021
The bandgap energy of the dilute bismuth GaBixSb1−x alloy depending on temperature's Cover Image
À propos de cet article
Article précédent
Article suivant
Citez
Télécharger la couverture
Publié en ligne: 16 déc. 2021
Pages: 298 - 304
Reçu: 07 juin 2021
Accepté: 29 sept. 2021
DOI: https://doi.org/10.2478/msp-2021-0025
Mots clés
© 2021 Chuan-Zhen Zhao et al., published by Sciendo
This work is licensed under the Creative Commons Attribution-NonCommercial-NoDerivatives 4.0 International License.
Langue:
Anglais
Périodicité:
4 fois par an
Sujets de la revue:
Sciences des matériaux, Sciences des matériaux, autres, Nanomatériaux, Matériaux fonctionnels et intelligents, Caractérisation et propriétés des matériaux
RSS Feed de la revue