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The bandgap energy of the dilute bismuth GaBixSb1−x alloy depending on temperature

Chuan-Zhen Zhao

Chuan-Zhen Zhao

Tianjin Key Laboratory of Optoelectronic Detection Technology and Systems, School of Electronics and Information Engineering, Tiangong UniversityTianjin, China
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Zhao, Chuan-Zhen
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Xue-Lian Qi

Xue-Lian Qi

Tianjin Key Laboratory of Optoelectronic Detection Technology and Systems, School of Electronics and Information Engineering, Tiangong UniversityTianjin, China
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Qi, Xue-Lian
  
16 dic 2021
The bandgap energy of the dilute bismuth GaBixSb1−x alloy depending on temperature's Cover Image
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Publicado en línea: 16 dic 2021
Páginas: 298 - 304
Recibido: 07 jun 2021
Aceptado: 29 sept 2021
DOI: https://doi.org/10.2478/msp-2021-0025
Palabras clave
© 2021 Chuan-Zhen Zhao et al., published by Sciendo
This work is licensed under the Creative Commons Attribution-NonCommercial-NoDerivatives 4.0 International License.
Zhao, Chuan-Zhen
Tianjin Key Laboratory of Optoelectronic Detection Technology and Systems, School of Electronics and Information Engineering, Tiangong UniversityTianjin, China
Qi, Xue-Lian
Tianjin Key Laboratory of Optoelectronic Detection Technology and Systems, School of Electronics and Information Engineering, Tiangong UniversityTianjin, China
Idioma:
Inglés
Calendario de la edición:
4 veces al año
Temas de la revista:
Ciencia de los materiales, Ciencia de los materiales, otros, Nanomateriales, Materiales funcionales e inteligentes, Características y propiedades de los materiales
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