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The bandgap energy of the dilute bismuth GaBixSb1−x alloy depending on temperature

Chuan-Zhen Zhao

Chuan-Zhen Zhao

Tianjin Key Laboratory of Optoelectronic Detection Technology and Systems, School of Electronics and Information Engineering, Tiangong UniversityTianjin, China
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Zhao, Chuan-Zhen
 und 
Xue-Lian Qi

Xue-Lian Qi

Tianjin Key Laboratory of Optoelectronic Detection Technology and Systems, School of Electronics and Information Engineering, Tiangong UniversityTianjin, China
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Qi, Xue-Lian
  
16. Dez. 2021
The bandgap energy of the dilute bismuth GaBixSb1−x alloy depending on temperature's Cover Image
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Online veröffentlicht: 16. Dez. 2021
Seitenbereich: 298 - 304
Eingereicht: 07. Juni 2021
Akzeptiert: 29. Sept. 2021
DOI: https://doi.org/10.2478/msp-2021-0025
Schlüsselwörter
© 2021 Chuan-Zhen Zhao et al., published by Sciendo
This work is licensed under the Creative Commons Attribution-NonCommercial-NoDerivatives 4.0 International License.
Zhao, Chuan-Zhen
Tianjin Key Laboratory of Optoelectronic Detection Technology and Systems, School of Electronics and Information Engineering, Tiangong UniversityTianjin, China
Qi, Xue-Lian
Tianjin Key Laboratory of Optoelectronic Detection Technology and Systems, School of Electronics and Information Engineering, Tiangong UniversityTianjin, China
Sprache:
Englisch
Zeitrahmen der Veröffentlichung:
4 Hefte pro Jahr
Fachgebiete der Zeitschrift:
Materialwissenschaft, Materialwissenschaft, andere, Nanomaterialien, Funktionelle und Intelligente Materialien, Charakterisierung und Eigenschaften von Materialien
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