Login
Registrieren
Passwort zurücksetzen
Veröffentlichen & Verteilen
Verlagslösungen
Vertriebslösungen
Themen
Allgemein
Altertumswissenschaften
Architektur und Design
Bibliotheks- und Informationswissenschaft, Buchwissenschaft
Biologie
Chemie
Geowissenschaften
Geschichte
Industrielle Chemie
Informatik
Jüdische Studien
Kulturwissenschaften
Kunst
Linguistik und Semiotik
Literaturwissenschaft
Materialwissenschaft
Mathematik
Medizin
Musik
Pharmazie
Philosophie
Physik
Rechtswissenschaften
Sozialwissenschaften
Sport und Freizeit
Technik
Theologie und Religion
Wirtschaftswissenschaften
Veröffentlichungen
Zeitschriften
Bücher
Konferenzberichte
Verlage
Blog
Kontakt
Suche
EUR
USD
GBP
Deutsch
English
Deutsch
Polski
Español
Français
Italiano
Warenkorb
Home
Zeitschriften
Materials Science-Poland
Band 35 (2017): Heft 1 (March 2017)
Uneingeschränkter Zugang
Effect of target power on the physical properties of Ti thin films prepared by DC magnetron sputtering with supported discharge
A. Kavitha
A. Kavitha
,
R. Kannan
R. Kannan
und
S. Rajashabala
S. Rajashabala
| 24. Feb. 2017
Materials Science-Poland
Band 35 (2017): Heft 1 (March 2017)
Über diesen Artikel
Vorheriger Artikel
Nächster Artikel
Zusammenfassung
Artikel
Figuren und Tabellen
Referenzen
Autoren
Artikel in dieser Ausgabe
Vorschau
PDF
Zitieren
Teilen
Online veröffentlicht:
24. Feb. 2017
Seitenbereich:
173 - 180
Eingereicht:
05. Juli 2016
Akzeptiert:
05. Jan. 2017
DOI:
https://doi.org/10.1515/msp-2017-0022
Schlüsselwörter
Ti thin films
,
supported discharge/triode mode
,
DC magnetron sputtering
,
target power
© 2017 A. Kavitha, R. Kannan, S. Rajashabala
This article is distributed under the terms of the Creative Commons Attribution Non-Commercial License, which permits unrestricted non-commercial use, distribution, and reproduction in any medium, provided the original work is properly cited.
(a) schematic diagram of DC magnetron sputtering with supported discharge, (b) electrical circuit diagram of the supported discharge.
Voltage-current characteristics in diode mode and triode mode at different filament bias currents.
Variation of target current with target voltage at a constant filament bias current of 1.0 A for different pressures.
Variation of thickness/rate of deposition on target power for the films deposited in diode and supported discharge modes, for dS−T = 4 cm.
EDS spectra for the Ti thin films deposited at (a) 3 Pa and (b) 0.7 Pa.
XRD patterns of Ti thin films deposited at a pressure of (a) 3 Pa, (b) 0.7 Pa at different target powers.
SEM images of Ti thin films deposited in diode mode at the target power of (a) 60 W, (b) 80 W, (c) 100 W and (d) 120 W.
Ti thin films deposited in triode mode at the target power of (a) 60 W, (b) 80 W, (c) 100 W and (d) 120 W.
AFM images of Ti films deposited in supported discharge system at the target power of (a) 60W, (b) 80 W, (c) 100 W and (d) 120 W.
Variation of electrical resistivity with target power of Ti thin films deposited in diode and triode mode.
Qualitative analysis of crystallite size.
Working pressure [Pa]
Target power [W]
Grain size [nm]
Relative intensity [%]
Surface roughness [nm]
80
64
36
7
0.7
100
65
62
12
120
80
100
15
80
12
8
2
3
100
13
9
4
120
20
12
5