Logowanie
Zarejestruj się
Zresetuj hasło
Publikuj i Dystrybuuj
Rozwiązania Wydawnicze
Rozwiązania Dystrybucyjne
Dziedziny
Publikacje
Czasopisma
Książki
Materiały konferencyjne
Wydawcy
Blog
Kontakt
Wyszukiwanie
Koszyk
EUR
USD
GBP
Polski
English
Deutsch
Polski
Español
Français
Italiano
Home
Czasopisma
Advances in Materials Science
Tom 10 (2010): Zeszyt 2 (June 2010)
Otwarty dostęp
Temperature measurement using a Ch
x
/porous silicon/Si structure encapsulated in a CO
2
rich environment
A. Chiali
A. Chiali
,
N. Ghellai
N. Ghellai
,
N. Gabouze
N. Gabouze
oraz
N. Sari
N. Sari
| 26 sie 2010
Advances in Materials Science
Tom 10 (2010): Zeszyt 2 (June 2010)
O artykule
Poprzedni artykuł
Następny artykuł
Abstrakt
Referencje
Autorzy
Artykuły w tym zeszycie
Podgląd
PDF
Zacytuj
Udostępnij
Data publikacji:
26 sie 2010
Zakres stron:
4 - 10
DOI:
https://doi.org/10.2478/v10077-010-0005-1
Słowa kluczowe
porous silicon
,
temperature sensor
,
carbon dioxide
This content is open access.