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Advances in Materials Science
Volume 10 (2010): Numero 2 (June 2010)
Accesso libero
Temperature measurement using a Ch
x
/porous silicon/Si structure encapsulated in a CO
2
rich environment
A. Chiali
A. Chiali
,
N. Ghellai
N. Ghellai
,
N. Gabouze
N. Gabouze
e
N. Sari
N. Sari
| 26 ago 2010
Advances in Materials Science
Volume 10 (2010): Numero 2 (June 2010)
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Pubblicato online:
26 ago 2010
Pagine:
4 - 10
DOI:
https://doi.org/10.2478/v10077-010-0005-1
Parole chiave
porous silicon
,
temperature sensor
,
carbon dioxide
This content is open access.