Otwarty dostęp

The bandgap energy of the dilute bismuth GaBixSb1−x alloy depending on temperature

Chuan-Zhen Zhao
Chuan-Zhen Zhao
 oraz 
Xue-Lian Qi
Xue-Lian Qi
   | 16 gru 2021
Materials Science-Poland's Cover Image
O artykule
Poprzedni artykuł
Następny artykuł
Zacytuj
Data publikacji: 16 gru 2021
Zakres stron: 298 - 304
Otrzymano: 07 cze 2021
Przyjęty: 29 wrz 2021
DOI: https://doi.org/10.2478/msp-2021-0025
Słowa kluczowe
© 2021 Chuan-Zhen Zhao et al., published by Sciendo
This work is licensed under the Creative Commons Attribution-NonCommercial-NoDerivatives 4.0 International License.

Fig. 1

Dependence of the bandgap energy of GaBixSb1−x on temperature. The experimental values are from Kopaczek et al. [10].
Dependence of the bandgap energy of GaBixSb1−x on temperature. The experimental values are from Kopaczek et al. [10].

Fig. 2

The bandgap shift of the GaBixSb1−x alloys when the temperature is changed from 15 K to 290 K.
The bandgap shift of the GaBixSb1−x alloys when the temperature is changed from 15 K to 290 K.

The parameters obtained in Eq. (2).

Bi fraction x γ (meV/K) Eg(0) (eV) σ (meV)
0 0.57 0.813 0
0.007 0.57 0.783 8.6
0.021 0.57 0.741 8.7
0.042 0.57 0.686 25.3
eISSN:
2083-134X
Język:
Angielski
Częstotliwość wydawania:
4 razy w roku
Dziedziny czasopisma:
Materials Sciences, other, Nanomaterials, Functional and Smart Materials, Materials Characterization and Properties
Kanał RSS czasopisma