Otwarty dostęp

The bandgap energy of the dilute bismuth GaBixSb1−x alloy depending on temperature

Chuan-Zhen Zhao

Chuan-Zhen Zhao

Tianjin Key Laboratory of Optoelectronic Detection Technology and Systems, School of Electronics and Information Engineering, Tiangong UniversityTianjin, China
Wyszukaj tego autora
Sciendo|Google Scholar
Zhao, Chuan-Zhen
 oraz 
Xue-Lian Qi

Xue-Lian Qi

Tianjin Key Laboratory of Optoelectronic Detection Technology and Systems, School of Electronics and Information Engineering, Tiangong UniversityTianjin, China
Wyszukaj tego autora
Sciendo|Google Scholar
Qi, Xue-Lian
  
16 gru 2021
The bandgap energy of the dilute bismuth GaBixSb1−x alloy depending on temperature's Cover Image
O artykule
Poprzedni artykuł
Następny artykuł
Zacytuj
Pobierz okładkę
Data publikacji: 16 gru 2021
Zakres stron: 298 - 304
Otrzymano: 07 cze 2021
Przyjęty: 29 wrz 2021
DOI: https://doi.org/10.2478/msp-2021-0025
Słowa kluczowe
© 2021 Chuan-Zhen Zhao et al., published by Sciendo
This work is licensed under the Creative Commons Attribution-NonCommercial-NoDerivatives 4.0 International License.
Język:
Angielski
Częstotliwość wydawania:
4 razy w roku
Dziedziny czasopisma:
Nauka o materiałach, Nauka o materiałach, inne, Nanomateriały, Funkcjonalne i inteligentne materiały, Charakterystyka i właściwości materiałów
Kanał RSS czasopisma