Logowanie
Zarejestruj się
Zresetuj hasło
Publikuj i Dystrybuuj
Rozwiązania Wydawnicze
Rozwiązania Dystrybucyjne
Dziedziny
Architektura i projektowanie
Bibliotekoznawstwo i bibliologia
Biznes i ekonomia
Chemia
Chemia przemysłowa
Filozofia
Fizyka
Historia
Informatyka
Inżynieria
Inżynieria materiałowa
Językoznawstwo i semiotyka
Kulturoznawstwo
Literatura
Matematyka
Medycyna
Muzyka
Nauki farmaceutyczne
Nauki klasyczne i starożytne studia bliskowschodnie
Nauki o Ziemi
Nauki o organizmach żywych
Nauki społeczne
Prawo
Sport i rekreacja
Studia judaistyczne
Sztuka
Teologia i religia
Zagadnienia ogólne
Publikacje
Czasopisma
Książki
Materiały konferencyjne
Wydawcy
Blog
Kontakt
Wyszukiwanie
EUR
USD
GBP
Polski
English
Deutsch
Polski
Español
Français
Italiano
Koszyk
Home
Czasopisma
Journal of Electrical Engineering
Tom 70 (2019): Zeszyt 6 (December 2019)
Otwarty dostęp
Low-noise and low power CMOS photoreceptor using split-length MOSFET
Jamel Nebhen
Jamel Nebhen
,
Julien Dubois
Julien Dubois
,
Sofiene Mansouri
Sofiene Mansouri
oraz
Dominique Ginhac
Dominique Ginhac
| 31 gru 2019
Journal of Electrical Engineering
Tom 70 (2019): Zeszyt 6 (December 2019)
O artykule
Poprzedni artykuł
Następny artykuł
Abstrakt
Referencje
Autorzy
Artykuły w tym zeszycie
Podgląd
PDF
Zacytuj
Udostępnij
Data publikacji:
31 gru 2019
Zakres stron:
480 - 485
Otrzymano:
29 paź 2019
DOI:
https://doi.org/10.2478/jee-2019-0081
Słowa kluczowe
photo-receptor
,
image sensor
,
low-noise
,
low-power
,
cmos circuit
© 2019 Jamel Nebhen et al., published by Sciendo
This work is licensed under the Creative Commons Attribution-NonCommercial-NoDerivatives 4.0 License.
Jamel Nebhen
Prince Sattam bin Abdulaziz University, College of Computer Engineering and Sciences
Alkharj
Julien Dubois
Dijon, France
Sofiene Mansouri
Prince Sattam bin Abdulaziz University, College of Computer Engineering and Sciences
Alkharj
Dominique Ginhac
Dijon, France