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Journal of Electrical Engineering
Volume 70 (2019): Numero 6 (December 2019)
Accesso libero
Low-noise and low power CMOS photoreceptor using split-length MOSFET
Jamel Nebhen
Jamel Nebhen
,
Julien Dubois
Julien Dubois
,
Sofiene Mansouri
Sofiene Mansouri
e
Dominique Ginhac
Dominique Ginhac
| 31 dic 2019
Journal of Electrical Engineering
Volume 70 (2019): Numero 6 (December 2019)
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Pubblicato online:
31 dic 2019
Pagine:
480 - 485
Ricevuto:
29 ott 2019
DOI:
https://doi.org/10.2478/jee-2019-0081
Parole chiave
photo-receptor
,
image sensor
,
low-noise
,
low-power
,
cmos circuit
© 2019 Jamel Nebhen et al., published by Sciendo
This work is licensed under the Creative Commons Attribution-NonCommercial-NoDerivatives 4.0 License.
Jamel Nebhen
Prince Sattam bin Abdulaziz University, College of Computer Engineering and Sciences
Alkharj
Julien Dubois
Dijon, France
Sofiene Mansouri
Prince Sattam bin Abdulaziz University, College of Computer Engineering and Sciences
Alkharj
Dominique Ginhac
Dijon, France