Iniciar sesión
Registrarse
Restablecer contraseña
Publicar y Distribuir
Soluciones de Publicación
Soluciones de Distribución
Temas
Arquitectura y diseño
Artes
Ciencias Sociales
Ciencias de la Información y Bibliotecas, Estudios del Libro
Ciencias de la vida
Ciencias de los materiales
Deporte y tiempo libre
Estudios clásicos y del Cercano Oriente antiguo
Estudios culturales
Estudios judíos
Farmacia
Filosofía
Física
Geociencias
Historia
Informática
Ingeniería
Interés general
Ley
Lingüística y semiótica
Literatura
Matemáticas
Medicina
Música
Negocios y Economía
Química
Química industrial
Teología y religión
Publicaciones
Revistas
Libros
Actas
Editoriales
Blog
Contacto
Buscar
EUR
USD
GBP
Español
English
Deutsch
Polski
Español
Français
Italiano
Carrito
Home
Revistas
Journal of Electrical Engineering
Volumen 70 (2019): Edición 6 (December 2019)
Acceso abierto
Low-noise and low power CMOS photoreceptor using split-length MOSFET
Jamel Nebhen
Jamel Nebhen
,
Julien Dubois
Julien Dubois
,
Sofiene Mansouri
Sofiene Mansouri
y
Dominique Ginhac
Dominique Ginhac
| 31 dic 2019
Journal of Electrical Engineering
Volumen 70 (2019): Edición 6 (December 2019)
Acerca de este artículo
Artículo anterior
Artículo siguiente
Resumen
Referencias
Autores
Artículos en este número
Vista previa
PDF
Cite
Compartir
Publicado en línea:
31 dic 2019
Páginas:
480 - 485
Recibido:
29 oct 2019
DOI:
https://doi.org/10.2478/jee-2019-0081
Palabras clave
photo-receptor
,
image sensor
,
low-noise
,
low-power
,
cmos circuit
© 2019 Jamel Nebhen et al., published by Sciendo
This work is licensed under the Creative Commons Attribution-NonCommercial-NoDerivatives 4.0 License.
Jamel Nebhen
Prince Sattam bin Abdulaziz University, College of Computer Engineering and Sciences
Alkharj
Julien Dubois
Dijon, France
Sofiene Mansouri
Prince Sattam bin Abdulaziz University, College of Computer Engineering and Sciences
Alkharj
Dominique Ginhac
Dijon, France