Connexion
S'inscrire
Réinitialiser le mot de passe
Publier & Distribuer
Solutions d'édition
Solutions de distribution
Thèmes
Architecture et design
Arts
Business et économie
Chimie
Chimie industrielle
Droit
Géosciences
Histoire
Informatique
Ingénierie
Intérêt général
Linguistique et sémiotique
Littérature
Mathématiques
Musique
Médecine
Pharmacie
Philosophie
Physique
Sciences bibliothécaires et de l'information, études du livre
Sciences des matériaux
Sciences du vivant
Sciences sociales
Sport et loisirs
Théologie et religion
Études classiques et du Proche-Orient ancient
Études culturelles
Études juives
Publications
Journaux
Livres
Comptes-rendus
Éditeurs
Blog
Contact
Chercher
EUR
USD
GBP
Français
English
Deutsch
Polski
Español
Français
Italiano
Panier
Home
Journaux
Journal of Electrical Engineering
Édition 70 (2019): Edition 6 (December 2019)
Accès libre
Low-noise and low power CMOS photoreceptor using split-length MOSFET
Jamel Nebhen
Jamel Nebhen
,
Julien Dubois
Julien Dubois
,
Sofiene Mansouri
Sofiene Mansouri
et
Dominique Ginhac
Dominique Ginhac
| 31 déc. 2019
Journal of Electrical Engineering
Édition 70 (2019): Edition 6 (December 2019)
À propos de cet article
Article précédent
Article suivant
Résumé
Références
Auteurs
Articles dans cette édition
Aperçu
PDF
Citez
Partagez
Publié en ligne:
31 déc. 2019
Pages:
480 - 485
Reçu:
29 oct. 2019
DOI:
https://doi.org/10.2478/jee-2019-0081
Mots clés
photo-receptor
,
image sensor
,
low-noise
,
low-power
,
cmos circuit
© 2019 Jamel Nebhen et al., published by Sciendo
This work is licensed under the Creative Commons Attribution-NonCommercial-NoDerivatives 4.0 License.
Jamel Nebhen
Prince Sattam bin Abdulaziz University, College of Computer Engineering and Sciences
Alkharj
Julien Dubois
Dijon, France
Sofiene Mansouri
Prince Sattam bin Abdulaziz University, College of Computer Engineering and Sciences
Alkharj
Dominique Ginhac
Dijon, France