Logowanie
Zarejestruj się
Zresetuj hasło
Publikuj i Dystrybuuj
Rozwiązania Wydawnicze
Rozwiązania Dystrybucyjne
Dziedziny
Architektura i projektowanie
Bibliotekoznawstwo i bibliologia
Biznes i ekonomia
Chemia
Chemia przemysłowa
Filozofia
Fizyka
Historia
Informatyka
Inżynieria
Inżynieria materiałowa
Językoznawstwo i semiotyka
Kulturoznawstwo
Literatura
Matematyka
Medycyna
Muzyka
Nauki farmaceutyczne
Nauki klasyczne i starożytne studia bliskowschodnie
Nauki o Ziemi
Nauki o organizmach żywych
Nauki społeczne
Prawo
Sport i rekreacja
Studia judaistyczne
Sztuka
Teologia i religia
Zagadnienia ogólne
Publikacje
Czasopisma
Książki
Materiały konferencyjne
Wydawcy
Blog
Kontakt
Wyszukiwanie
EUR
USD
GBP
Polski
English
Deutsch
Polski
Español
Français
Italiano
Koszyk
Home
Czasopisma
Materials Science-Poland
Tom 30 (2012): Zeszyt 4 (December 2012)
Otwarty dostęp
Effect of substrate temperature on the electrical and optical properties of electron beam evaporated indium antimonide thin films
Rahul
Rahul
,
A. Verma
A. Verma
,
R. Tripathi
R. Tripathi
oraz
S. Vishwakarma
S. Vishwakarma
| 14 gru 2012
Materials Science-Poland
Tom 30 (2012): Zeszyt 4 (December 2012)
O artykule
Poprzedni artykuł
Następny artykuł
Abstrakt
Referencje
Autorzy
Artykuły w tym zeszycie
Podgląd
PDF
Zacytuj
Udostępnij
Data publikacji:
14 gru 2012
Zakres stron:
375 - 381
DOI:
https://doi.org/10.2478/s13536-012-0044-x
Słowa kluczowe
InSb thin films
,
Hall effect
,
mobility
,
resistivity
,
activation energy
,
band gap
© 2012 Wroclaw University of Technology
This work is licensed under the Creative Commons Attribution-NonCommercial-NoDerivatives 3.0 License.