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Materials Science-Poland
Volumen 30 (2012): Edición 4 (December 2012)
Acceso abierto
Effect of substrate temperature on the electrical and optical properties of electron beam evaporated indium antimonide thin films
Rahul
Rahul
,
A. Verma
A. Verma
,
R. Tripathi
R. Tripathi
y
S. Vishwakarma
S. Vishwakarma
| 14 dic 2012
Materials Science-Poland
Volumen 30 (2012): Edición 4 (December 2012)
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Publicado en línea:
14 dic 2012
Páginas:
375 - 381
DOI:
https://doi.org/10.2478/s13536-012-0044-x
Palabras clave
InSb thin films
,
Hall effect
,
mobility
,
resistivity
,
activation energy
,
band gap
© 2012 Wroclaw University of Technology
This work is licensed under the Creative Commons Attribution-NonCommercial-NoDerivatives 3.0 License.