Skip to content
Publikuj i Dystrybuuj
Rozwiązania Wydawnicze
Rozwiązania Dystrybucyjne
Usługi biblioteczne
Dziedziny
Architektura i projektowanie
Bibliotekoznawstwo i bibliologia
Biznes i ekonomia
Chemia
Chemia przemysłowa
Filozofia
Fizyka
Historia
Informatyka
Inżynieria
Inżynieria materiałowa
Językoznawstwo i semiotyka
Kulturoznawstwo
Literatura
Matematyka
Medycyna
Muzyka
Nauki farmaceutyczne
Nauki klasyczne i starożytne studia bliskowschodnie
Nauki o Ziemi
Nauki o organizmach żywych
Nauki społeczne
Prawo
Sport i rekreacja
Studia judaistyczne
Sztuka
Teologia i religia
Zagadnienia ogólne
Publikacje
Czasopisma
Książki
Materiały konferencyjne
Wydawcy
Journal Matcher
Blog
Kontakt
Wyszukiwanie
Polski
English
Deutsch
Polski
Español
Français
Italiano
Koszyk
Home
Czasopisma
Materials Science-Poland
Tom 38 (2020): Zeszyt 1 (Marzec 2020)
Otwarty dostęp
Hafnium dioxide effect on the electrical properties of M/n-GaN structure
Sadoun Ali
Sadoun Ali
Laboratoire de Micro-Electronique Appliquée, Université Djillali Liables de Sidi Bel Abbes
Sidi Bel Abbes, Algeria
Wyszukaj tego autora
Sciendo
|
Google Scholar
Ali, Sadoun
,
Mansouri Sedik
Mansouri Sedik
Laboratoire de Micro-Electronique Appliquée, Université Djillali Liables de Sidi Bel Abbes
Sidi Bel Abbes, Algeria
Wyszukaj tego autora
Sciendo
|
Google Scholar
Sedik, Mansouri
,
Chellali Mohammed
Chellali Mohammed
Laboratoire de Micro-Electronique Appliquée, Université Djillali Liables de Sidi Bel Abbes
Sidi Bel Abbes, Algeria
Wyszukaj tego autora
Sciendo
|
Google Scholar
Mohammed, Chellali
,
Lakhdar Nacereddine
Lakhdar Nacereddine
University of El Oued, Fac. Technology
El Oued, Algeria
Wyszukaj tego autora
Sciendo
|
Google Scholar
Nacereddine, Lakhdar
,
Hima Abdelkader
Hima Abdelkader
University of El Oued, Fac. Technology
El Oued, Algeria
Wyszukaj tego autora
Sciendo
|
Google Scholar
Abdelkader, Hima
oraz
Benamara Zineb
Benamara Zineb
Laboratoire de Micro-Electronique Appliquée, Université Djillali Liables de Sidi Bel Abbes
Sidi Bel Abbes, Algeria
Wyszukaj tego autora
Sciendo
|
Google Scholar
Zineb, Benamara
08 maj 2020
Materials Science-Poland
Tom 38 (2020): Zeszyt 1 (Marzec 2020)
O artykule
Poprzedni artykuł
Następny artykuł
Abstrakt
Referencje
Autorzy
Artykuły w tym zeszycie
Podgląd
PDF
Zacytuj
Udostępnij
Pobierz okładkę
Data publikacji:
08 maj 2020
Zakres stron:
165 - 173
Otrzymano:
21 gru 2018
Przyjęty:
23 kwi 2019
DOI:
https://doi.org/10.2478/msp-2020-0020
Słowa kluczowe
Schottky diode
,
Pt/n-GaN
,
Pt/HfO/n-GaN
,
(I-V)
,
Norde
,
Cheung
,
Mikhelashvili and Chattopadhyay methods
,
modified Richardson equation
© 2020 Sadoun Ali et al., published by Sciendo
This work is licensed under the Creative Commons Attribution-NonCommercial-NoDerivatives 4.0 License.
