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Materials Science-Poland
Édition 38 (2020): Edition 1 (Mars 2020)
Accès libre
Hafnium dioxide effect on the electrical properties of M/n-GaN structure
Sadoun Ali
Sadoun Ali
Laboratoire de Micro-Electronique Appliquée, Université Djillali Liables de Sidi Bel Abbes
Sidi Bel Abbes, Algeria
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Ali, Sadoun
,
Mansouri Sedik
Mansouri Sedik
Laboratoire de Micro-Electronique Appliquée, Université Djillali Liables de Sidi Bel Abbes
Sidi Bel Abbes, Algeria
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Sedik, Mansouri
,
Chellali Mohammed
Chellali Mohammed
Laboratoire de Micro-Electronique Appliquée, Université Djillali Liables de Sidi Bel Abbes
Sidi Bel Abbes, Algeria
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Mohammed, Chellali
,
Lakhdar Nacereddine
Lakhdar Nacereddine
University of El Oued, Fac. Technology
El Oued, Algeria
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Nacereddine, Lakhdar
,
Hima Abdelkader
Hima Abdelkader
University of El Oued, Fac. Technology
El Oued, Algeria
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Abdelkader, Hima
et
Benamara Zineb
Benamara Zineb
Laboratoire de Micro-Electronique Appliquée, Université Djillali Liables de Sidi Bel Abbes
Sidi Bel Abbes, Algeria
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Zineb, Benamara
08 mai 2020
Materials Science-Poland
Édition 38 (2020): Edition 1 (Mars 2020)
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Publié en ligne:
08 mai 2020
Pages:
165 - 173
Reçu:
21 déc. 2018
Accepté:
23 avr. 2019
DOI:
https://doi.org/10.2478/msp-2020-0020
Mots clés
Schottky diode
,
Pt/n-GaN
,
Pt/HfO/n-GaN
,
(I-V)
,
Norde
,
Cheung
,
Mikhelashvili and Chattopadhyay methods
,
modified Richardson equation
© 2020 Sadoun Ali et al., published by Sciendo
This work is licensed under the Creative Commons Attribution-NonCommercial-NoDerivatives 4.0 License.
