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Materials Science-Poland
Volumen 38 (2020): Edición 1 (Marzo 2020)
Acceso abierto
Hafnium dioxide effect on the electrical properties of M/n-GaN structure
Sadoun Ali
Sadoun Ali
Laboratoire de Micro-Electronique Appliquée, Université Djillali Liables de Sidi Bel Abbes
Sidi Bel Abbes, Algeria
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Ali, Sadoun
,
Mansouri Sedik
Mansouri Sedik
Laboratoire de Micro-Electronique Appliquée, Université Djillali Liables de Sidi Bel Abbes
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Chellali Mohammed
Chellali Mohammed
Laboratoire de Micro-Electronique Appliquée, Université Djillali Liables de Sidi Bel Abbes
Sidi Bel Abbes, Algeria
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Mohammed, Chellali
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Lakhdar Nacereddine
Lakhdar Nacereddine
University of El Oued, Fac. Technology
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Hima Abdelkader
Hima Abdelkader
University of El Oued, Fac. Technology
El Oued, Algeria
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Abdelkader, Hima
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Benamara Zineb
Benamara Zineb
Laboratoire de Micro-Electronique Appliquée, Université Djillali Liables de Sidi Bel Abbes
Sidi Bel Abbes, Algeria
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Zineb, Benamara
08 may 2020
Materials Science-Poland
Volumen 38 (2020): Edición 1 (Marzo 2020)
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Publicado en línea:
08 may 2020
Páginas:
165 - 173
Recibido:
21 dic 2018
Aceptado:
23 abr 2019
DOI:
https://doi.org/10.2478/msp-2020-0020
Palabras clave
Schottky diode
,
Pt/n-GaN
,
Pt/HfO/n-GaN
,
(I-V)
,
Norde
,
Cheung
,
Mikhelashvili and Chattopadhyay methods
,
modified Richardson equation
© 2020 Sadoun Ali et al., published by Sciendo
This work is licensed under the Creative Commons Attribution-NonCommercial-NoDerivatives 4.0 License.
