Improving the Ohmic Properties of Au/Ni–Mg/P–GaN Contacts by Adding Swcnt Metallization Interlayer Between Metal and P–GaN Layers
, , , , , oraz
23 lis 2013
O artykule
Data publikacji: 23 lis 2013
Zakres stron: 390 - 392
DOI: https://doi.org/10.2478/jee-2013-0060
Słowa kluczowe
This content is open access.
Liday, Jozef
Vogrinčič, Peter
Vretenár, Viliam
Hotový, Ivan
Kotlár, Mário
Marton, Marián
Řeháček, Vlastimil