Logowanie
Zarejestruj się
Zresetuj hasło
Publikuj i Dystrybuuj
Rozwiązania Wydawnicze
Rozwiązania Dystrybucyjne
Dziedziny
Architektura i projektowanie
Bibliotekoznawstwo i bibliologia
Biznes i ekonomia
Chemia
Chemia przemysłowa
Filozofia
Fizyka
Historia
Informatyka
Inżynieria
Inżynieria materiałowa
Językoznawstwo i semiotyka
Kulturoznawstwo
Literatura
Matematyka
Medycyna
Muzyka
Nauki farmaceutyczne
Nauki klasyczne i starożytne studia bliskowschodnie
Nauki o Ziemi
Nauki o organizmach żywych
Nauki społeczne
Prawo
Sport i rekreacja
Studia judaistyczne
Sztuka
Teologia i religia
Zagadnienia ogólne
Publikacje
Czasopisma
Książki
Materiały konferencyjne
Wydawcy
Blog
Kontakt
Wyszukiwanie
EUR
USD
GBP
Polski
English
Deutsch
Polski
Español
Français
Italiano
Koszyk
Home
Czasopisma
Journal of Electrical Engineering
Tom 64 (2013): Zeszyt 6 (November 2013)
Otwarty dostęp
Improving the Ohmic Properties of Au/Ni–Mg/P–GaN Contacts by Adding Swcnt Metallization Interlayer Between Metal and P–GaN Layers
Jozef Liday
Jozef Liday
,
Peter Vogrinčič
Peter Vogrinčič
,
Viliam Vretenár
Viliam Vretenár
,
Ivan Hotový
Ivan Hotový
,
Mário Kotlár
Mário Kotlár
,
Marián Marton
Marián Marton
oraz
Vlastimil Řeháček
Vlastimil Řeháček
| 23 lis 2013
Journal of Electrical Engineering
Tom 64 (2013): Zeszyt 6 (November 2013)
O artykule
Poprzedni artykuł
Następny artykuł
Abstrakt
Referencje
Autorzy
Artykuły w tym zeszycie
Podgląd
PDF
Zacytuj
Udostępnij
Data publikacji:
23 lis 2013
Zakres stron:
390 - 392
DOI:
https://doi.org/10.2478/jee-2013-0060
Słowa kluczowe
p-GaN
,
Au/Ni-Mg-O/p-GaN
,
Au/Ni-Mg-(O)/SWCNT/p-GaN
,
single-walled carbon nanotubes (SWCNT)
,
ohmic contact
,
specific contact resistance
,
circular transmission line method (CTLM)
This content is open access.