Otwarty dostęp

The influence of Kanthal wire surface defects on the formation of Si nanolayer deposited by PVD method

Mieczysław Szczypiński

Mieczysław Szczypiński

PPHU TERMEX sp. z o.o.,Koszalin, Poland
Wyszukaj tego autora
Sciendo|Google Scholar
Szczypiński, Mieczysław
, 
Kazimierz Reszka

Kazimierz Reszka

Koszalin University of Technology, 75-453Koszalin, Poland
Wyszukaj tego autora
Sciendo|Google Scholar
Reszka, Kazimierz
 oraz 
Michał M. Szczypiński

Michał M. Szczypiński

Technical University of Liberec, 461 17Liberec, Czech Republic
Wyszukaj tego autora
Sciendo|Google Scholar
Szczypiński, Michał M.
  
25 cze 2018
The influence of Kanthal wire surface defects on the formation of Si nanolayer deposited by PVD method's Cover Image
O artykule
Poprzedni artykuł
Następny artykuł
Zacytuj
Pobierz okładkę
Data publikacji: 25 cze 2018
Zakres stron: 264 - 269
Otrzymano: 18 mar 2017
Przyjęty: 15 mar 2018
DOI: https://doi.org/10.1515/msp-2018-0038
Słowa kluczowe
© 2018 Mieczysław Szczypiński et al., published by Sciendo
This work is licensed under the Creative Commons Attribution-NonCommercial-NoDerivatives 4.0 License.
Język:
Angielski
Częstotliwość wydawania:
4 razy w roku
Dziedziny czasopisma:
Nauka o materiałach, Nauka o materiałach, inne, Nanomateriały, Funkcjonalne i inteligentne materiały, Charakterystyka i właściwości materiałów
Kanał RSS czasopisma