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The influence of Kanthal wire surface defects on the formation of Si nanolayer deposited by PVD method

Mieczysław Szczypiński

Mieczysław Szczypiński

PPHU TERMEX sp. z o.o.,Koszalin, Poland
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Szczypiński, Mieczysław
, 
Kazimierz Reszka

Kazimierz Reszka

Koszalin University of Technology, 75-453Koszalin, Poland
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Reszka, Kazimierz
 et 
Michał M. Szczypiński

Michał M. Szczypiński

Technical University of Liberec, 461 17Liberec, Czech Republic
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Szczypiński, Michał M.
  
25 juin 2018
The influence of Kanthal wire surface defects on the formation of Si nanolayer deposited by PVD method's Cover Image
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Publié en ligne: 25 juin 2018
Pages: 264 - 269
Reçu: 18 mars 2017
Accepté: 15 mars 2018
DOI: https://doi.org/10.1515/msp-2018-0038
Mots clés
© 2018 Mieczysław Szczypiński et al., published by Sciendo
This work is licensed under the Creative Commons Attribution-NonCommercial-NoDerivatives 4.0 License.
Langue:
Anglais
Périodicité:
4 fois par an
Sujets de la revue:
Sciences des matériaux, Sciences des matériaux, autres, Nanomatériaux, Matériaux fonctionnels et intelligents, Caractérisation et propriétés des matériaux
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