Logowanie
Zarejestruj się
Zresetuj hasło
Publikuj i Dystrybuuj
Rozwiązania Wydawnicze
Rozwiązania Dystrybucyjne
Dziedziny
Architektura i projektowanie
Bibliotekoznawstwo i bibliologia
Biznes i ekonomia
Chemia
Chemia przemysłowa
Filozofia
Fizyka
Historia
Informatyka
Inżynieria
Inżynieria materiałowa
Językoznawstwo i semiotyka
Kulturoznawstwo
Literatura
Matematyka
Medycyna
Muzyka
Nauki farmaceutyczne
Nauki klasyczne i starożytne studia bliskowschodnie
Nauki o Ziemi
Nauki o organizmach żywych
Nauki społeczne
Prawo
Sport i rekreacja
Studia judaistyczne
Sztuka
Teologia i religia
Zagadnienia ogólne
Publikacje
Czasopisma
Książki
Materiały konferencyjne
Wydawcy
Blog
Kontakt
Wyszukiwanie
EUR
USD
GBP
Polski
English
Deutsch
Polski
Español
Français
Italiano
Koszyk
Home
Czasopisma
Materials Science-Poland
Tom 34 (2016): Zeszyt 4 (December 2016)
Otwarty dostęp
Investigation of optical properties of silicon oxynitride films deposited by RF PECVD method
Wojciech Kijaszek
Wojciech Kijaszek
,
Waldemar Oleszkiewicz
Waldemar Oleszkiewicz
,
Adrian Zakrzewski
Adrian Zakrzewski
,
Sergiusz Patela
Sergiusz Patela
oraz
Marek Tłaczała
Marek Tłaczała
| 27 lis 2016
Materials Science-Poland
Tom 34 (2016): Zeszyt 4 (December 2016)
O artykule
Poprzedni artykuł
Następny artykuł
Abstrakt
Artykuł
Ilustracje i tabele
Referencje
Autorzy
Artykuły w tym zeszycie
Podgląd
PDF
Zacytuj
Udostępnij
Data publikacji:
27 lis 2016
Zakres stron:
868 - 871
Otrzymano:
20 kwi 2016
Przyjęty:
26 wrz 2016
DOI:
https://doi.org/10.1515/msp-2016-0111
Słowa kluczowe
silicon oxynitride
,
RF PECVD
,
spectroscopic ellipsometry
,
reflection coefficient
© Wroclaw University of Technology
This work is licensed under the Creative Commons Attribution-NonCommercial-NoDerivatives 3.0 License.
Growth rate of the SiOxNy film deposited by the PECVD technique as a function of ammonia flow rate.
Refractive index as a function of wavelength for SiOxNy films deposited at different NH3 flow rates.
Comparison of reflection coefficients of the Si substrate, SiO2 buffer and SiO2/SiON bilayer.