Logowanie
Zarejestruj się
Zresetuj hasło
Publikuj i Dystrybuuj
Rozwiązania Wydawnicze
Rozwiązania Dystrybucyjne
Dziedziny
Architektura i projektowanie
Bibliotekoznawstwo i bibliologia
Biznes i ekonomia
Chemia
Chemia przemysłowa
Filozofia
Fizyka
Historia
Informatyka
Inżynieria
Inżynieria materiałowa
Językoznawstwo i semiotyka
Kulturoznawstwo
Literatura
Matematyka
Medycyna
Muzyka
Nauki farmaceutyczne
Nauki klasyczne i starożytne studia bliskowschodnie
Nauki o Ziemi
Nauki o organizmach żywych
Nauki społeczne
Prawo
Sport i rekreacja
Studia judaistyczne
Sztuka
Teologia i religia
Zagadnienia ogólne
Publikacje
Czasopisma
Książki
Materiały konferencyjne
Wydawcy
Blog
Kontakt
Wyszukiwanie
EUR
USD
GBP
Polski
English
Deutsch
Polski
Español
Français
Italiano
Koszyk
Home
Czasopisma
Materials Science-Poland
Tom 34 (2016): Zeszyt 4 (December 2016)
Otwarty dostęp
Pressure dependence of the band gap energy for the dilute nitride GaN
x
As
1−x
Chuan-Zhen Zhao
Chuan-Zhen Zhao
,
Tong Wei
Tong Wei
,
Xiao-Dong Sun
Xiao-Dong Sun
,
Sha-Sha Wang
Sha-Sha Wang
oraz
Ke-Qing Lu
Ke-Qing Lu
| 17 gru 2016
Materials Science-Poland
Tom 34 (2016): Zeszyt 4 (December 2016)
O artykule
Poprzedni artykuł
Następny artykuł
Abstrakt
Artykuł
Ilustracje i tabele
Referencje
Autorzy
Artykuły w tym zeszycie
Podgląd
PDF
Zacytuj
Udostępnij
Data publikacji:
17 gru 2016
Zakres stron:
881 - 885
Otrzymano:
04 maj 2016
Przyjęty:
25 wrz 2016
DOI:
https://doi.org/10.1515/msp-2016-0110
Słowa kluczowe
GaNAs
,
band gap energy
,
pressure dependence
,
dilute nitride
© 2016 Wroclaw University of Technology
This work is licensed under the Creative Commons Attribution-NonCommercial-NoDerivatives 3.0 License.
Pressure dependence of E+ and E− for the dilute nitride GaNxAs1−x. The experimental data are from the literature [11].