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Materials Science-Poland
Volume 34 (2016): Numero 4 (December 2016)
Accesso libero
Pressure dependence of the band gap energy for the dilute nitride GaN
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Chuan-Zhen Zhao
Chuan-Zhen Zhao
,
Tong Wei
Tong Wei
,
Xiao-Dong Sun
Xiao-Dong Sun
,
Sha-Sha Wang
Sha-Sha Wang
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Ke-Qing Lu
Ke-Qing Lu
| 17 dic 2016
Materials Science-Poland
Volume 34 (2016): Numero 4 (December 2016)
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Pubblicato online:
17 dic 2016
Pagine:
881 - 885
Ricevuto:
04 mag 2016
Accettato:
25 set 2016
DOI:
https://doi.org/10.1515/msp-2016-0110
Parole chiave
GaNAs
,
band gap energy
,
pressure dependence
,
dilute nitride
© 2016 Wroclaw University of Technology
This work is licensed under the Creative Commons Attribution-NonCommercial-NoDerivatives 3.0 License.
Pressure dependence of E+ and E− for the dilute nitride GaNxAs1−x. The experimental data are from the literature [11].