Logowanie
Zarejestruj się
Zresetuj hasło
Publikuj i Dystrybuuj
Rozwiązania Wydawnicze
Rozwiązania Dystrybucyjne
Dziedziny
Architektura i projektowanie
Bibliotekoznawstwo i bibliologia
Biznes i ekonomia
Chemia
Chemia przemysłowa
Filozofia
Fizyka
Historia
Informatyka
Inżynieria
Inżynieria materiałowa
Językoznawstwo i semiotyka
Kulturoznawstwo
Literatura
Matematyka
Medycyna
Muzyka
Nauki farmaceutyczne
Nauki klasyczne i starożytne studia bliskowschodnie
Nauki o Ziemi
Nauki o organizmach żywych
Nauki społeczne
Prawo
Sport i rekreacja
Studia judaistyczne
Sztuka
Teologia i religia
Zagadnienia ogólne
Publikacje
Czasopisma
Książki
Materiały konferencyjne
Wydawcy
Blog
Kontakt
Wyszukiwanie
EUR
USD
GBP
Polski
English
Deutsch
Polski
Español
Français
Italiano
Koszyk
Home
Czasopisma
Materials Science-Poland
Tom 34 (2016): Zeszyt 4 (December 2016)
Otwarty dostęp
Scanning capacitance microscopy characterization of AIIIBV epitaxial layers
Adam Szyszka
Adam Szyszka
,
Michał Obłąk
Michał Obłąk
,
Tomasz Szymański
Tomasz Szymański
,
Mateusz Wośko
Mateusz Wośko
,
Wojciech Dawidowski
Wojciech Dawidowski
oraz
Regina Paszkiewicz
Regina Paszkiewicz
| 04 sty 2017
Materials Science-Poland
Tom 34 (2016): Zeszyt 4 (December 2016)
O artykule
Poprzedni artykuł
Następny artykuł
Abstrakt
Artykuł
Ilustracje i tabele
Referencje
Autorzy
Artykuły w tym zeszycie
Podgląd
PDF
Zacytuj
Udostępnij
Data publikacji:
04 sty 2017
Zakres stron:
845 - 850
Otrzymano:
19 kwi 2016
Przyjęty:
07 wrz 2016
DOI:
https://doi.org/10.1515/msp-2016-0104
Słowa kluczowe
scanning capacitance microscopy (SCM)
,
atomic force microscopy (AFM)
,
GaAs
,
InGaAs
,
AlGaN/GaN
© 2016 Wroclaw University of Technology
This article is distributed under the terms of the Creative Commons Attribution Non-Commercial License, which permits unrestricted non-commercial use, distribution, and reproduction in any medium, provided the original work is properly cited.