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Journal of Electrical Engineering
Volume 64 (2013): Numero 6 (November 2013)
Accesso libero
Improving the Ohmic Properties of Au/Ni–Mg/P–GaN Contacts by Adding Swcnt Metallization Interlayer Between Metal and P–GaN Layers
Jozef Liday
Jozef Liday
,
Peter Vogrinčič
Peter Vogrinčič
,
Viliam Vretenár
Viliam Vretenár
,
Ivan Hotový
Ivan Hotový
,
Mário Kotlár
Mário Kotlár
,
Marián Marton
Marián Marton
e
Vlastimil Řeháček
Vlastimil Řeháček
| 23 nov 2013
Journal of Electrical Engineering
Volume 64 (2013): Numero 6 (November 2013)
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Pubblicato online:
23 nov 2013
Pagine:
390 - 392
DOI:
https://doi.org/10.2478/jee-2013-0060
Parole chiave
p-GaN
,
Au/Ni-Mg-O/p-GaN
,
Au/Ni-Mg-(O)/SWCNT/p-GaN
,
single-walled carbon nanotubes (SWCNT)
,
ohmic contact
,
specific contact resistance
,
circular transmission line method (CTLM)
This content is open access.
Jozef Liday
Institute of Electronics and Photonics, Slovak University of Technology, Ilkoviova 3, 812 19 Bratislava, Slovakia
Peter Vogrinčič
Institute of Electronics and Photonics, Slovak University of Technology, Ilkoviova 3, 812 19 Bratislava, Slovakia
Viliam Vretenár
Danubia NanoTech, s.r.o., Ilkoviova 3, 841 04 Bratislava, Slovakia
Ivan Hotový
Institute of Electronics and Photonics, Slovak University of Technology, Ilkoviova 3, 812 19 Bratislava, Slovakia
Mário Kotlár
Institute of Electronics and Photonics, Slovak University of Technology, Ilkoviova 3, 812 19 Bratislava, Slovakia
Marián Marton
Institute of Electronics and Photonics, Slovak University of Technology, Ilkoviova 3, 812 19 Bratislava, Slovakia
Vlastimil Řeháček
Institute of Electronics and Photonics, Slovak University of Technology, Ilkoviova 3, 812 19 Bratislava, Slovakia