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Journal of Electrical Engineering
Volume 64 (2013): Numero 6 (November 2013)
Accesso libero
Improving the Ohmic Properties of Au/Ni–Mg/P–GaN Contacts by Adding Swcnt Metallization Interlayer Between Metal and P–GaN Layers
Jozef Liday
Jozef Liday
,
Peter Vogrinčič
Peter Vogrinčič
,
Viliam Vretenár
Viliam Vretenár
,
Ivan Hotový
Ivan Hotový
,
Mário Kotlár
Mário Kotlár
,
Marián Marton
Marián Marton
e
Vlastimil Řeháček
Vlastimil Řeháček
| 23 nov 2013
Journal of Electrical Engineering
Volume 64 (2013): Numero 6 (November 2013)
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Pubblicato online:
23 nov 2013
Pagine:
390 - 392
DOI:
https://doi.org/10.2478/jee-2013-0060
Parole chiave
p-GaN
,
Au/Ni-Mg-O/p-GaN
,
Au/Ni-Mg-(O)/SWCNT/p-GaN
,
single-walled carbon nanotubes (SWCNT)
,
ohmic contact
,
specific contact resistance
,
circular transmission line method (CTLM)
This content is open access.