Iniciar sesión
Registrarse
Restablecer contraseña
Publicar y Distribuir
Soluciones de Publicación
Soluciones de Distribución
Temas
Arquitectura y diseño
Artes
Ciencias Sociales
Ciencias de la Información y Bibliotecas, Estudios del Libro
Ciencias de la vida
Ciencias de los materiales
Deporte y tiempo libre
Estudios clásicos y del Cercano Oriente antiguo
Estudios culturales
Estudios judíos
Farmacia
Filosofía
Física
Geociencias
Historia
Informática
Ingeniería
Interés general
Ley
Lingüística y semiótica
Literatura
Matemáticas
Medicina
Música
Negocios y Economía
Química
Química industrial
Teología y religión
Publicaciones
Revistas
Libros
Actas
Editoriales
Blog
Contacto
Buscar
EUR
USD
GBP
Español
English
Deutsch
Polski
Español
Français
Italiano
Carrito
Home
Revistas
Journal of Electrical Engineering
Volumen 74 (2023): Edición 4 (August 2023)
Acceso abierto
Inhomogeneous HfO
2
layer growth at atomic layer deposition
Aarne Kasikov
Aarne Kasikov
,
Aivar Tarre
Aivar Tarre
y
Guillermo Vinuesa
Guillermo Vinuesa
| 29 ago 2023
Journal of Electrical Engineering
Volumen 74 (2023): Edición 4 (August 2023)
Acerca de este artículo
Artículo anterior
Artículo siguiente
Resumen
Referencias
Autores
Artículos en este número
Vista previa
PDF
Cite
Compartir
Publicado en línea:
29 ago 2023
Páginas:
246 - 255
Recibido:
11 may 2023
DOI:
https://doi.org/10.2478/jee-2023-0031
Palabras clave
hafnium thin films
,
spectroscopic ellipsometry
,
growth inhomogeneity
,
atomic layer deposition
,
packing density
,
resistive switching
,
filament formation
© 2023 Aarne Kasikov et al., published by Sciendo
This work is licensed under the Creative Commons Attribution-NonCommercial-NoDerivatives 4.0 International License.
Aarne Kasikov
Institute of Physics, University of Tartu,
Estonia
Aivar Tarre
Institute of Physics, University of Tartu,
Estonia
Guillermo Vinuesa
Department of Electronics, University of Valladolid,
Spain