Study on etching anisotropy of Si(hkl) planes in solutions with different KOH and isopropyl alcohol concentrations
und
08. Mai 2012
Über diesen Artikel
Online veröffentlicht: 08. Mai 2012
Seitenbereich: 278 - 284
DOI: https://doi.org/10.2478/s13536-011-0047-z
Schlüsselwörter
© 2011 Wroclaw University of Technology
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Rola, K.
Zubel, I.