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Study on etching anisotropy of Si(hkl) planes in solutions with different KOH and isopropyl alcohol concentrations

K. Rola

K. Rola

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Rola, K.
 et 
I. Zubel

I. Zubel

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Zubel, I.
  
08 mai 2012
Study on etching anisotropy of Si(hkl) planes in solutions with different KOH and isopropyl alcohol concentrations's Cover Image
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Publié en ligne: 08 mai 2012
Pages: 278 - 284
DOI: https://doi.org/10.2478/s13536-011-0047-z
Mots clés
© 2011 Wroclaw University of Technology
This work is licensed under the Creative Commons Attribution-NonCommercial-NoDerivatives 3.0 License.
Rola, K.
Zubel, I.
Langue:
Anglais
Périodicité:
4 fois par an
Sujets de la revue:
Sciences des matériaux, Sciences des matériaux, autres, Nanomatériaux, Matériaux fonctionnels et intelligents, Caractérisation et propriétés des matériaux
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