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Study on etching anisotropy of Si(hkl) planes in solutions with different KOH and isopropyl alcohol concentrations

K. Rola

K. Rola

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Rola, K.
 und 
I. Zubel

I. Zubel

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Zubel, I.
  
08. Mai 2012
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Online veröffentlicht: 08. Mai 2012
Seitenbereich: 278 - 284
DOI: https://doi.org/10.2478/s13536-011-0047-z
Schlüsselwörter
© 2011 Wroclaw University of Technology
This work is licensed under the Creative Commons Attribution-NonCommercial-NoDerivatives 3.0 License.
Sprache:
Englisch
Zeitrahmen der Veröffentlichung:
4 Hefte pro Jahr
Fachgebiete der Zeitschrift:
Materialwissenschaft, Materialwissenschaft, andere, Nanomaterialien, Funktionelle und Intelligente Materialien, Charakterisierung und Eigenschaften von Materialien
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