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Materials Science-Poland
Volume 29 (2011): Numero 4 (December 2011)
Accesso libero
Study on etching anisotropy of Si(hkl) planes in solutions with different KOH and isopropyl alcohol concentrations
K. Rola
K. Rola
e
I. Zubel
I. Zubel
| 08 mag 2012
Materials Science-Poland
Volume 29 (2011): Numero 4 (December 2011)
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Pubblicato online:
08 mag 2012
Pagine:
278 - 284
DOI:
https://doi.org/10.2478/s13536-011-0047-z
Parole chiave
anisotropic etching
,
silicon surface
,
potassium hydroxide
,
isopropanol concentration
,
(hkl) planes
© 2011 Wroclaw University of Technology
This work is licensed under the Creative Commons Attribution-NonCommercial-NoDerivatives 3.0 License.