Logowanie
Zarejestruj się
Zresetuj hasło
Publikuj i Dystrybuuj
Rozwiązania Wydawnicze
Rozwiązania Dystrybucyjne
Dziedziny
Architektura i projektowanie
Bibliotekoznawstwo i bibliologia
Biznes i ekonomia
Chemia
Chemia przemysłowa
Filozofia
Fizyka
Historia
Informatyka
Inżynieria
Inżynieria materiałowa
Językoznawstwo i semiotyka
Kulturoznawstwo
Literatura
Matematyka
Medycyna
Muzyka
Nauki farmaceutyczne
Nauki klasyczne i starożytne studia bliskowschodnie
Nauki o Ziemi
Nauki o organizmach żywych
Nauki społeczne
Prawo
Sport i rekreacja
Studia judaistyczne
Sztuka
Teologia i religia
Zagadnienia ogólne
Publikacje
Czasopisma
Książki
Materiały konferencyjne
Wydawcy
Blog
Kontakt
Wyszukiwanie
EUR
USD
GBP
Polski
English
Deutsch
Polski
Español
Français
Italiano
Koszyk
Home
Czasopisma
Materials Science-Poland
Tom 29 (2011): Zeszyt 4 (December 2011)
Otwarty dostęp
Study on etching anisotropy of Si(hkl) planes in solutions with different KOH and isopropyl alcohol concentrations
K. Rola
K. Rola
oraz
I. Zubel
I. Zubel
| 08 maj 2012
Materials Science-Poland
Tom 29 (2011): Zeszyt 4 (December 2011)
O artykule
Poprzedni artykuł
Następny artykuł
Abstrakt
Referencje
Autorzy
Artykuły w tym zeszycie
Podgląd
PDF
Zacytuj
Udostępnij
Data publikacji:
08 maj 2012
Zakres stron:
278 - 284
DOI:
https://doi.org/10.2478/s13536-011-0047-z
Słowa kluczowe
anisotropic etching
,
silicon surface
,
potassium hydroxide
,
isopropanol concentration
,
(hkl) planes
© 2011 Wroclaw University of Technology
This work is licensed under the Creative Commons Attribution-NonCommercial-NoDerivatives 3.0 License.
K. Rola
Faculty of Microsystem Electronics and Photonics, Wrocław University of Technology, Janiszewskiego 11/17, 50-372, Wrocław, Poland
I. Zubel
Faculty of Microsystem Electronics and Photonics, Wrocław University of Technology, Janiszewskiego 11/17, 50-372, Wrocław, Poland