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Materials Science-Poland
Volumen 29 (2011): Edición 4 (December 2011)
Acceso abierto
Study on etching anisotropy of Si(hkl) planes in solutions with different KOH and isopropyl alcohol concentrations
K. Rola
K. Rola
y
I. Zubel
I. Zubel
| 08 may 2012
Materials Science-Poland
Volumen 29 (2011): Edición 4 (December 2011)
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Publicado en línea:
08 may 2012
Páginas:
278 - 284
DOI:
https://doi.org/10.2478/s13536-011-0047-z
Palabras clave
anisotropic etching
,
silicon surface
,
potassium hydroxide
,
isopropanol concentration
,
(hkl) planes
© 2011 Wroclaw University of Technology
This work is licensed under the Creative Commons Attribution-NonCommercial-NoDerivatives 3.0 License.
K. Rola
Faculty of Microsystem Electronics and Photonics, Wrocław University of Technology, Janiszewskiego 11/17, 50-372, Wrocław, Poland
I. Zubel
Faculty of Microsystem Electronics and Photonics, Wrocław University of Technology, Janiszewskiego 11/17, 50-372, Wrocław, Poland