Skip to content
Publikuj i Dystrybuuj
Rozwiązania Wydawnicze
Rozwiązania Dystrybucyjne
Usługi biblioteczne
Dziedziny
Architektura i projektowanie
Bibliotekoznawstwo i bibliologia
Biznes i ekonomia
Chemia
Chemia przemysłowa
Filozofia
Fizyka
Historia
Informatyka
Inżynieria
Inżynieria materiałowa
Językoznawstwo i semiotyka
Kulturoznawstwo
Literatura
Matematyka
Medycyna
Muzyka
Nauki farmaceutyczne
Nauki klasyczne i starożytne studia bliskowschodnie
Nauki o Ziemi
Nauki o organizmach żywych
Nauki społeczne
Prawo
Sport i rekreacja
Studia judaistyczne
Sztuka
Teologia i religia
Zagadnienia ogólne
Publikacje
Czasopisma
Książki
Materiały konferencyjne
Wydawcy
Journal Matcher
Blog
Kontakt
Wyszukiwanie
Polski
English
Deutsch
Polski
Español
Français
Italiano
Koszyk
Home
Czasopisma
Latvian Journal of Physics and Technical Sciences
Tom 51 (2014): Zeszyt 3 (Czerwiec 2014)
Otwarty dostęp
Investigation of Silicon Carbide Polytypes by Raman Spectroscopy
G. Chikvaidze
G. Chikvaidze
Wyszukaj tego autora
Sciendo
|
Google Scholar
Chikvaidze, G.
,
N. Mironova-Ulmane
N. Mironova-Ulmane
Wyszukaj tego autora
Sciendo
|
Google Scholar
Mironova-Ulmane, N.
,
A. Plaude
A. Plaude
Wyszukaj tego autora
Sciendo
|
Google Scholar
Plaude, A.
oraz
O. Sergeev
O. Sergeev
Wyszukaj tego autora
Sciendo
|
Google Scholar
Sergeev, O.
16 lip 2014
Latvian Journal of Physics and Technical Sciences
Tom 51 (2014): Zeszyt 3 (Czerwiec 2014)
O artykule
Poprzedni artykuł
Następny artykuł
Abstrakt
Referencje
Autorzy
Artykuły w tym zeszycie
Podgląd
PDF
Zacytuj
Udostępnij
Pobierz okładkę
Data publikacji:
16 lip 2014
Zakres stron:
51 - 57
DOI:
https://doi.org/10.2478/lpts-2014-0019
Słowa kluczowe
Silicon carbide (SiC)
,
polytypes
,
Raman spectroscopy
,
X-ray diffraction (XRD)
© by G. Chikvaidze
This work is licensed under the Creative Commons Attribution-NonCommercial-NoDerivatives 3.0 License.
