Logowanie
Zarejestruj się
Zresetuj hasło
Publikuj i Dystrybuuj
Rozwiązania Wydawnicze
Rozwiązania Dystrybucyjne
Dziedziny
Architektura i projektowanie
Bibliotekoznawstwo i bibliologia
Biznes i ekonomia
Chemia
Chemia przemysłowa
Filozofia
Fizyka
Historia
Informatyka
Inżynieria
Inżynieria materiałowa
Językoznawstwo i semiotyka
Kulturoznawstwo
Literatura
Matematyka
Medycyna
Muzyka
Nauki farmaceutyczne
Nauki klasyczne i starożytne studia bliskowschodnie
Nauki o Ziemi
Nauki o organizmach żywych
Nauki społeczne
Prawo
Sport i rekreacja
Studia judaistyczne
Sztuka
Teologia i religia
Zagadnienia ogólne
Publikacje
Czasopisma
Książki
Materiały konferencyjne
Wydawcy
Blog
Kontakt
Wyszukiwanie
EUR
USD
GBP
Polski
English
Deutsch
Polski
Español
Français
Italiano
Koszyk
Home
Czasopisma
Journal of Electrical Engineering
Tom 66 (2015): Zeszyt 6 (November 2015)
Otwarty dostęp
Electrically Active Defects In Solar Cells Based On Amorphous Silicon/Crystalline Silicon Heterojunction After Irradiation By Heavy Xe Ions
Ladislav Harmatha
Ladislav Harmatha
,
Miroslav Mikolášek
Miroslav Mikolášek
,
L’ubica Stuchlíková
L’ubica Stuchlíková
,
Arpád Kósa
Arpád Kósa
,
Milan Žiška
Milan Žiška
,
Ladislav Hrubčín
Ladislav Hrubčín
oraz
Vladimir A. Skuratov
Vladimir A. Skuratov
| 05 gru 2015
Journal of Electrical Engineering
Tom 66 (2015): Zeszyt 6 (November 2015)
O artykule
Poprzedni artykuł
Następny artykuł
Abstrakt
Referencje
Autorzy
Artykuły w tym zeszycie
Podgląd
PDF
Zacytuj
Udostępnij
Data publikacji:
05 gru 2015
Zakres stron:
323 - 328
Otrzymano:
04 mar 2015
DOI:
https://doi.org/10.2478/jee-2015-0053
Słowa kluczowe
silicon HIT solar cell
,
amorphous-crystalline silicon heterostructure
,
DLTS measurement
,
high-energy heavy Xe ions irradiation
,
radiation hardness
© 2015 Faculty of Electrical Engineering and Information Technology, Slovak University of Technology
This work is licensed under the Creative Commons Attribution-NonCommercial-NoDerivatives 3.0 License.